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현대 무기체계의 경쟁력은 '눈'과 '귀'의 성능, 즉 센서 시스템의 탐지 능력과 반응 속도에서 결정된다. 특히 레이더는 전장 감시, 표적 탐지 및 추적, 미사일 유도, 전자전 등 다양한 임무에서 필수적인 역할을 수행하며, 그 성능이 곧 국가 안보 및 군사력의 경쟁력으로 직결된다. 이러한 맥락에서, 전자주사식 위상배열 안테나(AESA : Active Electronically Scanned Array)는 기계식 레이더의 한계를 극복하며 현대 레이더 기술의 정점으로 평가받고 있다. AESA 레이더의 핵심 구성요소는 바로 송수신모듈(TRM : Transmit/Receive Module)로, 각 안테나 소자에 독립적으로 연결되어 빔 조향, 다중 표적 추적, 다기능 수행을 가능하게 한다. 최근 이러한 TRM의 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있는 차세대 반도체 소재로 질화갈륨(GaN : Gallium Nitride) 기반 고체상태 전력증폭기(SSPA : Solid-State Power Amplifier) 기술이 주목받고 있다. GaN은 기존의 갈륨비소(GaAs : Gallium Arsenide)를 대체할 물질로, 고출력, 고내열, 광대역 특성을 바탕으로 미래형 레이더, 통신, 전자전 플랫폼의 핵심 기술로 부상하고 있다. 이에 본 기고문에서는 GaN 기반 SSPA 기술의 개념 및 특성을 소개한다.